半导体发光二极管组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010245803.5

申请日：

2010-08-05

公开(公告)号：

CN102347431A

公开(公告)日：

2012-02-08

发明(设计)人：

沈佳辉洪梓健曾坚信

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号

IPC主分类号：

H01L3350

IPC分类号：

H01L2715

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	公开	公开
2015-10-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101722808983 IPC(主分类):H01L 33/50 专利申请号:2010102458035 申请公布日:20120208
2012-03-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101208130032 IPC(主分类):H01L 33/50 专利申请号:2010102458035 申请日:20100805

共 50 条

[1]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[2]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[3]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[4]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[5]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[6]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[7]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[8]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[9]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

[10]

半导体发光二极管组件构造 [P].

古顺延 .

中国专利 :CN202616285U ,2012-12-19

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