半导体发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410005240.7

申请日：

2004-02-17

公开(公告)号：

CN100416870C

公开(公告)日：

2004-08-25

发明(设计)人：

近藤且章

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

黄剑锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2004-08-25	公开	公开
2004-10-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-03-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20040217 授权公告日:20080903 终止日期:20170217
2008-09-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[2]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[3]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[4]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

[5]

半导体发光二极管结构 [P].

温伟值 ;

郭修邑 ;

王泰钧 .

中国专利 :CN103094444B ,2013-05-08

[6]

半导体发光二极管结构 [P].

温伟值 ;

郭修邑 ;

王泰钧 .

中国专利 :CN105514242B ,2016-04-20

[7]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[8]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[9]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[10]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

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