半导体发光二极管结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510887455.4

申请日：

2012-10-29

公开(公告)号：

CN105514242B

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

温伟值郭修邑王泰钧

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3320

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

邱军

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741729113 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2015108874554 登记生效日:20161027 变更事项:申请人变更前权利人:广镓光电股份有限公司变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾台中市变更后权利人:中国台湾新竹市
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660912173 IPC(主分类):H01L 33/20 专利申请号:2015108874554 申请日:20121029
2016-04-20	公开	公开
2018-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体发光二极管结构 [P].

温伟值 ;

郭修邑 ;

王泰钧 .

中国专利 :CN103094444B ,2013-05-08

[2]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[3]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[4]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[5]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[6]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

[7]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[8]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

[9]

半导体发光二极管 [P].

中津弘志 ;

山本修 .

中国专利 :CN1155118C ,2000-03-01

[10]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

← 1 2 3 4 5 →