一种半导体发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410010444.7

申请日：

2024-01-04

公开(公告)号：

CN117691012A

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

郑锦坚黄军张会康季徐芳陈三喜蒙磊刘紫涵蓝家彬王星河

申请人：

安徽格恩半导体有限公司

申请人地址：

237161 安徽省六安市金安区巢湖路288号

IPC主分类号：

H01L33/04

IPC分类号：

H01L33/06 H01L33/02

代理机构：

北京文慧专利代理事务所(特殊普通合伙) 11955

代理人：

戴丽伟

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省六安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	公开	公开
2024-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/04申请日:20240104

共 50 条

[1]

半导体发光二极管 [P].

近藤且章 .

中国专利 :CN100416870C ,2004-08-25

[2]

半导体发光二极管 [P].

吴永胜 ;

张帆 .

中国专利 :CN111081833A ,2020-04-28

[3]

半导体发光二极管 [P].

郑一权 .

中国专利 :CN101752485A ,2010-06-23

[4]

半导体发光二极管 [P].

藏本恭介 .

中国专利 :CN101118945A ,2008-02-06

[5]

半导体发光二极管 [P].

石川卓哉 ;

荒川智志 ;

向原智一 ;

柏川秋彦 .

中国专利 :CN1256795A ,2000-06-14

[6]

半导体发光二极管 [P].

小岛章弘 ;

下宿幸 ;

杉崎吉昭 ;

秋元阳介 ;

藤井孝佳 .

中国专利 :CN103403889B ,2013-11-20

[7]

半导体发光二极管结构 [P].

温伟值 ;

郭修邑 ;

王泰钧 .

中国专利 :CN103094444B ,2013-05-08

[8]

半导体发光二极管结构 [P].

温伟值 ;

郭修邑 ;

王泰钧 .

中国专利 :CN105514242B ,2016-04-20

[9]

半导体发光二极管 [P].

张丽蕾 ;

王刚 ;

邵喜斌 .

中国专利 :CN101308841A ,2008-11-19

[10]

半导体发光二极管 [P].

彭晖 ;

闫春辉 ;

柯志杰 .

中国专利 :CN102420280A ,2012-04-18

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