三值忆阻器的电路模型

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910038725.2

申请日：

2019-01-16

公开(公告)号：

CN109766643B

公开(公告)日：

2019-05-17

发明(设计)人：

王晓媛闵晓涛周鹏飞

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

G06F30367

IPC分类号：

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

周希良

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-09	授权	授权
2019-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20190116
2019-05-17	公开	公开

共 50 条

[1]

一种三值忆阻器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

闵晓涛 ;

周鹏飞 .

中国专利 :CN209168107U ,2019-07-26

[2]

一种三值忆感器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

周鹏飞 ;

闵晓涛 ;

张雪 .

中国专利 :CN209168109U ,2019-07-26

[3]

三值忆感器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

周鹏飞 ;

闵晓涛 ;

张雪 .

中国专利 :CN109766644B ,2019-05-17

[4]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22

[5]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213A ,2020-11-17

[6]

一种三值忆容器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

张雪 ;

闵晓涛 ;

周鹏飞 .

中国专利 :CN209168108U ,2019-07-26

[7]

三阶绝对值局部有源忆阻器电路模型 [P].

谷文玉 ;

王光义 ;

王君兰 ;

沈怡然 .

中国专利 :CN110222451A ,2019-09-10

[8]

三值忆容器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

张雪 ;

闵晓涛 ;

周鹏飞 .

中国专利 :CN109766645B ,2019-05-17

[9]

一种基于三值忆阻器的四维超混沌系统的电路模型 [P].

王晓媛 ;

田远泽 ;

高蒙 ;

杨萌 .

中国专利 :CN114282476A ,2022-04-05

[10]

一种三值理想通用压控忆阻器电路模型 [P].

张章 ;

许傲 ;

李超 .

中国专利 :CN113505559B ,2024-03-29

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