一种三值理想通用压控忆阻器电路模型

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110895510.X

申请日：

2021-08-05

公开(公告)号：

CN113505559B

公开(公告)日：

2024-03-29

发明(设计)人：

张章许傲李超

申请人：

合肥工业大学智能制造技术研究院

申请人地址：

230000 安徽省合肥市包河区花园大道369号

IPC主分类号：

G06F30/392

IPC分类号：

G06F30/394 G06F7/523 G11C7/06

代理机构：

合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158

代理人：

刘跃

法律状态：

授权

国省代码：

安徽省合肥市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-29	授权	授权

共 50 条

[1]

一种三值理想通用压控忆阻器电路模型 [P].

张章 ;

许傲 ;

李超 .

中国专利 :CN113505559A ,2021-10-15

[2]

一种三值忆阻器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

闵晓涛 ;

周鹏飞 .

中国专利 :CN209168107U ,2019-07-26

[3]

三值忆阻器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

闵晓涛 ;

周鹏飞 .

中国专利 :CN109766643B ,2019-05-17

[4]

一种三值忆感器的电路模型 [P].

王晓媛 ;

周鹏飞 ;

闵晓涛 ;

张雪 .

中国专利 :CN209168109U ,2019-07-26

[5]

一种指数型流控忆阻器的电路模型 [P].

王光义 ;

马德明 ;

张娜 .

中国专利 :CN108696274A ,2018-10-23

[6]

一种通用型双曲函数忆阻器电路模型 [P].

何海涛 ;

秦兴 .

中国专利 :CN115544934A ,2022-12-30

[7]

一种分数阶指数型忆阻器电路模型 [P].

王维阳 ;

王光义 ;

应佳捷 ;

董玉姣 .

中国专利 :CN111125980A ,2020-05-08

[8]

一种双曲正弦型忆阻器电路模型 [P].

朱斌达 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

应佳捷 .

中国专利 :CN111079363A ,2020-04-28

[9]

三阶绝对值局部有源忆阻器电路模型 [P].

谷文玉 ;

王光义 ;

王君兰 ;

沈怡然 .

中国专利 :CN110222451A ,2019-09-10

[10]

二值局部有源忆阻器的仿真器电路模型 [P].

王君兰 ;

王光义 ;

董玉姣 ;

谷文玉 ;

李茹依 .

中国专利 :CN111950213B ,2024-03-22

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