应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911041214.2

申请日：

2019-10-30

公开(公告)号：

CN110752273B

公开(公告)日：

2020-02-04

发明(设计)人：

汪松柏姜勇飞徐明靖管梦莹李凡

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新华路9号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-04	公开	公开
2020-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/18 申请日:20191030
2022-07-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种多晶硅片背面抛光工艺 [P].

苏世杰 ;

李强强 ;

张玉前 ;

郭俊 ;

张欢 .

中国专利 :CN107492489A ,2017-12-19

[2]

一种多晶硅片背面纯化工艺 [P].

赵科巍 ;

郭卫 ;

王恩宇 ;

申开愉 ;

张之栋 ;

张波 .

中国专利 :CN106299019A ,2017-01-04

[3]

多晶硅片的制绒工艺 [P].

邬时伟 .

中国专利 :CN104009125B ,2014-08-27

[4]

提高多晶硅片转换效率的多晶铸锭工艺 [P].

杨平 ;

王启阳 .

中国专利 :CN103590102A ,2014-02-19

[5]

多晶硅片的制绒工艺 [P].

张兆民 .

中国专利 :CN107059136A ,2017-08-18

[6]

多晶硅片的磷扩散工艺 [P].

顾峰 .

中国专利 :CN102347222A ,2012-02-08

[7]

金刚线切割多晶硅片的电池的制作方法 [P].

杨红冬 ;

张辉 ;

刘仁中 ;

张斌 ;

邢国强 .

中国专利 :CN104009116A ,2014-08-27

[8]

一种多晶硅片的钝化处理方法 [P].

孙宝明 .

中国专利 :CN102569531A ,2012-07-11

[9]

一种太阳能电池用多晶硅片的钝化处理方法 [P].

沈明荣 ;

张漫 ;

苏晓东 .

中国专利 :CN103715310A ,2014-04-09

[10]

物理冶金多晶硅太阳电池的钝化减反射结构 [P].

和江变 ;

邹凯 ;

郭凯华 ;

郭永强 ;

马承鸿 ;

李健 .

中国专利 :CN205194711U ,2016-04-27

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