一种多晶硅片背面抛光工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710689678.9

申请日：

2017-08-14

公开(公告)号：

CN107492489A

公开(公告)日：

2017-12-19

发明(设计)人：

苏世杰李强强张玉前郭俊张欢

申请人：

申请人地址：

230088 安徽省合肥市高新区长宁大道与习友路交口西南角

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

H01L21304 H01L3118

代理机构：

昆明合众智信知识产权事务所 53113

代理人：

张玺

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/306 申请公布日:20171219
2018-01-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/306 申请日:20170814
2017-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

一种多晶硅片背面纯化工艺 [P].

赵科巍 ;

郭卫 ;

王恩宇 ;

申开愉 ;

张之栋 ;

张波 .

中国专利 :CN106299019A ,2017-01-04

[2]

一种多晶硅片制备工艺 [P].

李斌 ;

付家云 ;

赵军 ;

胡小海 ;

李书森 ;

胡瑾 ;

曾霞 .

中国专利 :CN107738370A ,2018-02-27

[3]

一种多晶硅片制备工艺 [P].

顾雨彤 ;

何显文 .

中国专利 :CN108389783A ,2018-08-10

[4]

应用在多晶硅片上简化的背面钝化电池工艺 [P].

汪松柏 ;

姜勇飞 ;

徐明靖 ;

管梦莹 ;

李凡 .

中国专利 :CN110752273B ,2020-02-04

[5]

用于多晶硅片的抛光装置 [P].

蒋兴贤 .

中国专利 :CN210232592U ,2020-04-03

[6]

多晶硅片生产工艺 [P].

张兆民 .

中国专利 :CN107162002A ,2017-09-15

[7]

一种多晶硅片表面磁力抛光装置 [P].

严循成 ;

王祥 ;

何迎辉 .

中国专利 :CN118893560A ,2024-11-05

[8]

一种多晶硅片表面磁力抛光装置 [P].

严循成 ;

王祥 ;

何迎辉 .

中国专利 :CN118893560B ,2025-04-04

[9]

一种多晶硅片 [P].

郑晓晨 .

中国专利 :CN207072980U ,2018-03-06

[10]

多晶硅片的制绒工艺 [P].

张兆民 .

中国专利 :CN107059136A ,2017-08-18

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