一种纳米硅的制备方法及其制备的纳米硅的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010772711.6

申请日：

2020-08-04

公开(公告)号：

CN111883764A

公开(公告)日：

2020-11-03

发明(设计)人：

黄杰

申请人：

申请人地址：

102488 北京市房山区琉璃河镇古桥镜水家园1号楼-5-401

IPC主分类号：

H01M438

IPC分类号：

H01M10052 C01B33021 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙) 37245

代理人：

陈辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-11-03	公开	公开
2021-03-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01M 4/38 登记生效日:20210220 变更事项:申请人变更前权利人:黄杰变更后权利人:四川物科金硅新材料科技有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:102488 北京市房山区琉璃河镇古桥镜水家园1号楼-5-401 变更后权利人:618399 四川省德阳市广汉市南昌路四段43号2区2层26号
2022-12-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01M 4/38 申请公布日:20201103
2020-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01M 4/38 申请日:20200804

共 50 条

[1]

纳米硅及液相法制备纳米硅的方法和应用 [P].

原长洲 ;

韩广瑞 ;

刘浪 ;

侯林瑞 ;

梁龙伟 .

中国专利 :CN115611282A ,2023-01-17

[2]

一种纳米硅的制备方法 [P].

曹德明 ;

陈鑫 ;

刘念平 ;

张燕萍 ;

赵志国 .

中国专利 :CN103531761A ,2014-01-22

[3]

一种纳米硅的制备方法 [P].

戎春勇 ;

田润 ;

冯登华 .

中国专利 :CN117842996A ,2024-04-09

[4]

一种制备高纯纳米硅的方法 [P].

李能 ;

皮涛 ;

王志勇 ;

黄越华 ;

邵浩明 ;

陈松 ;

彭杨城 ;

李钰 ;

余梦泽 .

中国专利 :CN109786727A ,2019-05-21

[5]

一种纳米硅材料的制备方法 [P].

王丽 ;

毛焕宇 ;

唐其伟 .

中国专利 :CN109384231A ,2019-02-26

[6]

一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用 [P].

王海波 ;

赵建庆 ;

余雁 .

中国专利 :CN106784762B ,2017-05-31

[7]

一种高精度纳米硅材料的制备方法 [P].

伍林 ;

杨小于 ;

胡雅 ;

刘盈 ;

张保国 ;

廖致远 ;

周义来 ;

陈奡 .

中国专利 :CN114314502A ,2022-04-12

[8]

一种纳米硅电池负极材料的制备方法 [P].

乔石 ;

郝美娟 ;

冯登华 .

中国专利 :CN117976892A ,2024-05-03

[9]

一种铝还原制备纳米硅的方法 [P].

金小玉 ;

金小六 ;

金鑫 ;

胡玉华 ;

潘启亮 ;

赵建国 .

中国专利 :CN105692623A ,2016-06-22

[10]

纳米硅的制备方法、硅基负极材料及其制备方法 [P].

白岩 ;

赵晓磊 ;

成信刚 .

中国专利 :CN110386604A ,2019-10-29

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