一种纳米硅阵列负极材料的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611026785.5

申请日：

2016-11-17

公开(公告)号：

CN106784762B

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

王海波赵建庆余雁

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号

IPC主分类号：

H01M438

IPC分类号：

H01M100525 C01B33023 B82Y3000

代理机构：

苏州简理知识产权代理有限公司 32371

代理人：

杨晓东

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-31	公开	公开
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729303086 IPC(主分类):H01M 4/38 专利申请号:2016110267855 申请日:20161117
2020-05-15	授权	授权

共 50 条

[1]

一种纳米硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

李聪 ;

陈颉颃 ;

宋世湃 ;

罗兵 ;

张迪 ;

向勇 ;

蒋琰 .

中国专利 :CN119674012A ,2025-03-21

[2]

碳化纳米硅负极材料的制备方法 [P].

崔立峰 ;

王聪 ;

王辉 ;

杨克涛 .

中国专利 :CN102983310A ,2013-03-20

[3]

一种纳米锡硅复合负极材料及其制备方法和应用 [P].

金周 ;

俞海龙 ;

黄学杰 .

中国专利 :CN111048763A ,2020-04-21

[4]

一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料 [P].

刘昭 ;

杨敏 .

中国专利 :CN118439615A ,2024-08-06

[5]

一种纳米硅碳负极前驱体的制备方法和纳米硅碳负极材料 [P].

刘昭 ;

杨敏 .

中国专利 :CN118439615B ,2025-01-28

[6]

一种硅碳负极材料及其制备方法 [P].

段锐 ;

王辉 ;

万文文 ;

赵鹏 ;

周惠 .

中国专利 :CN119994016A ,2025-05-13

[7]

纳米硅及其制备方法和锂离子电池负极材料 [P].

田新 ;

江宏富 ;

赵佳旗 ;

张建立 ;

袁北京 .

中国专利 :CN116282034B ,2025-11-07

[8]

一种硅基负极材料及其制备方法和应用 [P].

王秀田 ;

曾绍忠 ;

赵志刚 ;

陈效华 .

中国专利 :CN104332594B ,2015-02-04

[9]

一种聚合物修饰纳米硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

王艳 ;

黄韦博 ;

郑洪河 ;

朱国斌 ;

曲群婷 .

中国专利 :CN114361391A ,2022-04-15

[10]

一种壳聚糖包覆纳米硅负极材料及其制备方法和应用 [P].

孙嘉阳 ;

郑洪河 ;

郑伟 ;

沈刚 ;

沈鸣 .

中国专利 :CN120033230A ,2025-05-23

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