半导体器件和用于构造半导体器件的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810613513.8
申请日
2018-06-14
公开(公告)号
CN109121291A
公开(公告)日
2019-01-01
发明(设计)人
赵应山 达尼·克拉夫特 达里尔·加利波
申请人
申请人地址
奥地利菲拉赫
IPC主分类号
H05K114
IPC分类号
代理机构
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
康建峰;杜诚
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.迈泽尔 ;
M.佩尔茨尔 ;
T.施勒泽 .
中国专利 :CN103794649B ,2014-05-14
[2]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
中国专利 :CN108155234A ,2018-06-12
[3]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
G·马克 .
中国专利 :CN103972072A ,2014-08-06
[4]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
德国专利 :CN113903793B ,2025-10-31
[5]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
S·克兰普 .
中国专利 :CN106409798A ,2017-02-15
[6]
半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P]. 
A.比尔纳 ;
H.布雷希 .
中国专利 :CN113903793A ,2022-01-07
[7]
半导体膜、半导体器件和用于制造半导体膜、半导体器件的方法 [P]. 
高山彻 ;
秋元健吾 .
中国专利 :CN100397556C ,2003-01-08
[8]
半导体器件和用于半导体器件的器件 [P]. 
金载镒 ;
白承根 ;
崔敦铉 .
中国专利 :CN106469573A ,2017-03-01
[9]
半导体晶片、半导体器件和半导体器件的制造方法 [P]. 
中村和子 .
中国专利 :CN1160290A ,1997-09-24
[10]
半导体器件和形成半导体器件方法 [P]. 
黄子松 ;
曾明鸿 ;
林彦良 ;
蔡豪益 ;
蔡及铭 ;
刘重希 ;
林志伟 ;
何明哲 .
中国专利 :CN115579341A ,2023-01-06