半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610603191.X

申请日：

2016-07-27

公开(公告)号：

CN106409798A

公开(公告)日：

2017-02-15

发明(设计)人：

S·克兰普

申请人：

申请人地址：

德国诺伊比贝尔格

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

郑立柱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101707264974 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:201610603191X 申请日:20160727
2017-02-15	公开	公开
2021-10-29	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 23/488 申请公布日:20170215

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A·海因里希 .

中国专利 :CN112652601A ,2021-04-13

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A·海因里希 .

:CN112652601B ,2025-03-07

[3]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

申洪湜 ;

卢炫准 ;

朴兴植 ;

成石铉 ;

李道行 ;

李元赫 .

韩国专利 :CN112420696B ,2025-04-25

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江宏礼 ;

陈奕升 ;

周雷峻 ;

陈志良 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110676304A ,2020-01-10

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M·贝宁格-比纳 ;

M·哈里森 ;

P·因里希 ;

E·纳佩施尼格 ;

A·贝伦特 ;

R·哈特尔 ;

R·林德纳 .

中国专利 :CN115497907A ,2022-12-20

[6]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

申洪湜 ;

卢炫准 ;

朴兴植 ;

成石铉 ;

李道行 ;

李元赫 .

中国专利 :CN112420696A ,2021-02-26

[7]

用于制造半导体器件和功率半导体器件的方法 [P].

R.哈泽 ;

M.H.韦莱迈尔 .

中国专利 :CN108122746B ,2018-06-05

[8]

半导体器件和用于制造半导体的方法 [P].

加布里埃莱·贝蒂纳施 ;

迈克尔·舍雷克 ;

乌韦·赛德尔 ;

沃尔夫冈·沃尔特 ;

于贝尔·维尔特曼 .

中国专利 :CN102903701A ,2013-01-30

[9]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

诺温·文马尔姆 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 ;

坦森·瓦尔盖斯 ;

菲利普·克罗伊特尔 .

中国专利 :CN106062976B ,2016-10-26

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

V.卡波迪西 ;

M.丁克尔 ;

U.施马尔茨鲍尔 ;

M.聪德尔 .

中国专利 :CN103985709B ,2014-08-13

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