半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011071704.X

申请日：

2020-10-09

公开(公告)号：

CN112652601B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

A·海因里希

申请人：

英飞凌科技奥地利有限公司

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L21/48

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

舒雄文

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

A·海因里希 .

中国专利 :CN112652601A ,2021-04-13

[2]

功率半导体器件和用于制造功率半导体器件的方法 [P].

R·奥特伦巴 ;

G·郎格尔 ;

P·弗兰克 ;

A·海因里希 ;

A·卢德施特克-佩希洛夫 ;

D·佩多内 .

中国专利 :CN113140537A ,2021-07-20

[3]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

[4]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN103069583A ,2013-04-24

[5]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

古谷晃 .

中国专利 :CN100481383C ,2007-02-14

[6]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

S·克兰普 .

中国专利 :CN106409798A ,2017-02-15

[7]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

江宏礼 ;

陈奕升 ;

周雷峻 ;

陈志良 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110676304A ,2020-01-10

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN102569296A ,2012-07-11

[10]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

M·贝宁格-比纳 ;

M·哈里森 ;

P·因里希 ;

E·纳佩施尼格 ;

A·贝伦特 ;

R·哈特尔 ;

R·林德纳 .

中国专利 :CN115497907A ,2022-12-20

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