半导体器件和用于制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180041470.7

申请日：

2011-08-11

公开(公告)号：

CN103069583A

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

彼得·施陶斯菲利普·德雷克塞尔约阿希姆·赫特功

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

张春水;田军锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	公开	公开
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461519760 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011800414707 申请日:20110811
2016-10-19	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

[2]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[3]

半导体器件、衬底和用于制造半导体层序列的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

帕特里克·罗德 ;

菲利普·德雷克塞尔 .

中国专利 :CN103003917A ,2013-03-27

[4]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

尾藤康则 .

中国专利 :CN102569296A ,2012-07-11

[5]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

中国专利 :CN110520997A ,2019-11-29

[6]

半导体器件、半导体器件制造方法及电子设备 [P].

斋藤卓 ;

藤井宣年 ;

松本良辅 ;

财前义史 ;

万田周治 ;

丸山俊介 ;

清水秀夫 .

日本专利 :CN110520997B ,2024-05-14

[7]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019A ,2021-12-31

[8]

半导体器件以及制造半导体器件的方法 [P].

郝荣晖 ;

黄敬源 .

中国专利 :CN113875019B ,2024-07-02

[9]

用于制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

诺温·文马尔姆 ;

亚历山大·F·普福伊费尔 ;

坦森·瓦尔盖斯 ;

菲利普·克罗伊特尔 .

中国专利 :CN106062976B ,2016-10-26

[10]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彭成毅 ;

李松柏 .

中国专利 :CN113345890B ,2025-06-03

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