用于制造半导体器件的方法和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580009283.9

申请日：

2015-02-17

公开(公告)号：

CN106062976B

公开(公告)日：

2016-10-26

发明(设计)人：

诺温·文马尔姆亚历山大·F·普福伊费尔坦森·瓦尔盖斯菲利普·克罗伊特尔

申请人：

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

H01L3338

IPC分类号：

H01L310224

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

丁永凡;张春水

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-26	公开	公开
2018-10-19	授权	授权
2016-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101688767595 IPC(主分类):H01L 33/38 专利申请号:2015800092839 申请日:20150217

共 50 条

[1]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN107104175B ,2017-08-29

[2]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

金村雅仁 .

中国专利 :CN103367423A ,2013-10-23

[3]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

砂村润 ;

井上尚也 ;

金子贵昭 .

中国专利 :CN103247683A ,2013-08-14

[4]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

彼得·施陶斯 ;

菲利普·德雷克塞尔 ;

约阿希姆·赫特功 .

中国专利 :CN103069583A ,2013-04-24

[5]

半导体器件和用于制造半导体器件的方法 [P].

约阿希姆·雷尔 ;

弗兰克·辛格 ;

诺温·文马尔姆 ;

马蒂亚斯·扎巴蒂尔 .

中国专利 :CN105103314A ,2015-11-25

[6]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[7]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[8]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

郑兆钦 ;

陈奕升 ;

江宏礼 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110783192A ,2020-02-11

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