半导体器件和半导体器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910075271.6

申请日：

2019-01-25

公开(公告)号：

CN111490099B

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

韩啸

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L23367 H01L21335

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

孙海杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20190125
2022-09-27	授权	授权
2020-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[2]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

[3]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN110880473B ,2025-02-25

[4]

半导体器件、半导体器件制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN110880473A ,2020-03-13

[5]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

堰和彦 .

日本专利 :CN117894849A ,2024-04-16

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

郑兆钦 ;

陈奕升 ;

江宏礼 ;

陈自强 .

中国专利 :CN110783192A ,2020-02-11

[7]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山田敦史 .

中国专利 :CN102646581A ,2012-08-22

[8]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

布兰丁·迪里耶 ;

戈本·多恩伯斯 ;

马库斯·约翰内斯·亨里克斯·凡·达尔 ;

马丁·克里斯多夫·霍兰德 .

中国专利 :CN110416158B ,2019-11-05

[9]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

新山浩司 .

日本专利 :CN120711753A ,2025-09-26

[10]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

沙哈吉·B·摩尔 ;

蔡俊雄 .

中国专利 :CN113314608B ,2024-09-06

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