半导体器件和制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510321096.X

申请日：

2025-03-18

公开(公告)号：

CN120711753A

公开(公告)日：

2025-09-26

发明(设计)人：

新山浩司

申请人：

瑞萨电子株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H10D8/01

IPC分类号：

H10D8/50 H01L21/324 H10D12/01 H10D12/00

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

张宁

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-26	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件和制造半导体器件的方法 [P].

山川真弥 .

中国专利 :CN101542699A ,2009-09-23

[2]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

邱雅文 ;

詹易哲 ;

谭伦光 ;

潘正扬 ;

赵晟博 ;

梁品筑 ;

陈弘耀 ;

余德伟 ;

李益诚 .

中国专利 :CN113299742B ,2024-04-05

[3]

半导体器件的制造方法和半导体器件 [P].

元田隆 ;

加藤学 .

中国专利 :CN1144396A ,1997-03-05

[4]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN109585555B ,2019-04-05

[5]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

邱雅文 ;

詹易哲 ;

谭伦光 ;

潘正扬 ;

赵晟博 ;

梁品筑 ;

陈弘耀 ;

余德伟 ;

李益诚 .

中国专利 :CN113299742A ,2021-08-24

[6]

制造半导体器件的方法和半导体器件 [P].

余绍铭 ;

李东颖 ;

云惟胜 ;

杨富祥 .

中国专利 :CN114664927A ,2022-06-24

[7]

半导体器件和半导体器件制造方法 [P].

韩啸 .

中国专利 :CN111490099B ,2020-08-04

[8]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

日本专利 :CN110600378B ,2024-01-19

[9]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

小川裕之 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN104637796A ,2015-05-20

[10]

半导体器件制造方法和半导体器件 [P].

野濑幸则 .

中国专利 :CN110600378A ,2019-12-20

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