高电压漏极延伸式MOS晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880070020.2

申请日：

2018-12-31

公开(公告)号：

CN111279488A

公开(公告)日：

2020-06-12

发明(设计)人：

金圣龙赛特拉曼·西达尔萨米尔·彭沙尔卡尔

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

林斯凯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20181231
2020-06-12	公开	公开

共 50 条

[1]

高电压漏极延伸式MOS晶体管 [P].

金圣龙 ;

赛特拉曼·西达尔 ;

萨米尔·彭沙尔卡尔 .

美国专利 :CN111279488B ,2025-02-21

[2]

漏极延伸晶体管 [P].

M-C·李 ;

S·金 ;

S·斯瑞达 ;

S·彭哈卡 .

中国专利 :CN114639675A ,2022-06-17

[3]

具有经改进漂移层触点的高电压横向延伸漏极MOS晶体管 [P].

菲利普·利兰·豪尔 ;

萨米尔·彭德哈卡 ;

马里·丹尼森 .

中国专利 :CN104716184B ,2015-06-17

[4]

高压延伸漏极MOS（EDMOS）纳米线晶体管 [P].

N·尼迪 ;

R·拉马斯瓦迈 ;

W·M·哈费茨 ;

H-Y·张 ;

张婷 ;

B·法拉哈扎德 ;

T·特里韦迪 ;

金晸東 .

中国专利 :CN112993026A ,2021-06-18

[5]

具有分离沟道的漏极延伸的MOS晶体管 [P].

范卡特拉曼·普拉哈卡 ;

伊葛·葛兹尼索夫 .

中国专利 :CN105830214B ,2016-08-03

[6]

延长漏极的MOS晶体管 [P].

M·丹尼森 ;

P·L·豪威尔 ;

S·P·彭哈卡 .

中国专利 :CN103189989B ,2013-07-03

[7]

嵌入式源/漏极MOS晶体管的制造方法 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN104465388A ,2015-03-25

[8]

高电压晶体管装置 [P].

S·H·博多 ;

宽特·葛斯荷夫 ;

朱尔根·法尔 ;

彼特·杰瓦卡 .

中国专利 :CN107452801A ,2017-12-08

[9]

混合型有源-场间隙延伸漏极MOS晶体管 [P].

S·P·彭哈卡 ;

J·林 .

中国专利 :CN103189987A ,2013-07-03

[10]

混合型有源‑场间隙延伸漏极MOS晶体管 [P].

S·P·彭哈卡 ;

J·林 .

中国专利 :CN106057797A ,2016-10-26

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