嵌入式源/漏极MOS晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310446048.0

申请日：

2013-09-23

公开(公告)号：

CN104465388A

公开(公告)日：

2015-03-25

发明(设计)人：

禹国宾

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-25	公开	公开
2018-08-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20150325
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607350366 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2013104460480 申请日:20130923

共 50 条

[1]

嵌入式源/漏MOS晶体管的制造方法 [P].

禹国宾 ;

刘海龙 .

中国专利 :CN104465519B ,2015-03-25

[2]

嵌入式源/漏MOS晶体管及其形成方法 [P].

钟汇才 ;

赵超 ;

梁擎擎 .

中国专利 :CN102760765A ,2012-10-31

[3]

具有浅源极/漏极结区的MOS晶体管的制造方法 [P].

李诚宰 ;

赵元珠 ;

朴京完 .

中国专利 :CN1421908A ,2003-06-04

[4]

绝缘源漏极MOS晶体管及其制造方法 [P].

孔蔚然 .

中国专利 :CN101567385A ,2009-10-28

[5]

高电压漏极延伸式MOS晶体管 [P].

金圣龙 ;

赛特拉曼·西达尔 ;

萨米尔·彭沙尔卡尔 .

美国专利 :CN111279488B ,2025-02-21

[6]

高电压漏极延伸式MOS晶体管 [P].

金圣龙 ;

赛特拉曼·西达尔 ;

萨米尔·彭沙尔卡尔 .

中国专利 :CN111279488A ,2020-06-12

[7]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101752253B ,2010-06-23

[8]

MOS晶体管的制造方法 [P].

李奉载 .

中国专利 :CN102044434A ,2011-05-04

[9]

MOS晶体管的制造方法 [P].

张海洋 ;

王冬江 .

中国专利 :CN104078361B ,2014-10-01

[10]

MOS晶体管的制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN102543747A ,2012-07-04

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