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具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202110088853.5
申请日
:
2021-01-22
公开(公告)号
:
CN113838968A
公开(公告)日
:
2021-12-24
发明(设计)人
:
徐晨佑
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
:
H01L4308
IPC分类号
:
H01L4302
H01L4312
H01L2722
代理机构
:
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
:
顾伯兴
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-24
公开
公开
2022-01-11
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/08 申请日:20210122
共 50 条
[1]
具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法
[P].
徐晨佑
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
徐晨佑
.
中国专利
:CN113838968B
,2025-02-14
[2]
存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法
[P].
萧清泰
论文数:
0
引用数:
0
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0
萧清泰
;
匡训冲
论文数:
0
引用数:
0
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0
匡训冲
;
朱彦璋
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱彦璋
.
中国专利
:CN113130530A
,2021-07-16
[3]
存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法
[P].
萧清泰
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
萧清泰
;
匡训冲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
匡训冲
;
朱彦璋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
朱彦璋
.
中国专利
:CN113130530B
,2024-10-18
[4]
存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法
[P].
柯闵咏
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
柯闵咏
;
刘世昌
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
刘世昌
.
中国专利
:CN113206189B
,2025-06-20
[5]
存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法
[P].
柯闵咏
论文数:
0
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0
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0
柯闵咏
;
刘世昌
论文数:
0
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0
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0
刘世昌
.
中国专利
:CN113206189A
,2021-08-03
[6]
磁性隧道结存储器
[P].
孔繁生
论文数:
0
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0
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0
孔繁生
;
周华
论文数:
0
引用数:
0
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0
周华
.
中国专利
:CN112466358A
,2021-03-09
[7]
存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的方法
[P].
顾时群
论文数:
0
引用数:
0
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0
顾时群
;
升·H·康
论文数:
0
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0
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0
升·H·康
;
马修·M·诺瓦克
论文数:
0
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0
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0
马修·M·诺瓦克
.
中国专利
:CN101911326B
,2010-12-08
[8]
磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法
[P].
宋明远
论文数:
0
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0
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0
宋明远
;
林世杰
论文数:
0
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0
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0
林世杰
;
李乾铭
论文数:
0
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0
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0
李乾铭
;
葛卫伦
论文数:
0
引用数:
0
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0
葛卫伦
.
中国专利
:CN112750855A
,2021-05-04
[9]
掩埋磁隧道结存储器单元和方法
[P].
P·J·弗里克
论文数:
0
引用数:
0
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0
P·J·弗里克
;
A·科尔
论文数:
0
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0
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0
A·科尔
;
A·L·范布罗克林
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
A·L·范布罗克林
.
中国专利
:CN100481252C
,2004-09-08
[10]
磁性结存储器设备及其写入方法
[P].
金灿景
论文数:
0
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0
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0
金灿景
;
金知妍
论文数:
0
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0
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金知妍
;
郑铉泽
论文数:
0
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0
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郑铉泽
;
金智恩
论文数:
0
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0
金智恩
;
金泰成
论文数:
0
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金泰成
;
郑尚勋
论文数:
0
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郑尚勋
;
朱宰郁
论文数:
0
引用数:
0
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0
朱宰郁
.
中国专利
:CN112289354A
,2021-01-29
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