具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202110088853.5
申请日
2021-01-22
公开(公告)号
CN113838968A
公开(公告)日
2021-12-24
发明(设计)人
徐晨佑
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
IPC主分类号
H01L4308
IPC分类号
H01L4302 H01L4312 H01L2722
代理机构
南京正联知识产权代理有限公司 32243
代理人
顾伯兴
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法 [P]. 
徐晨佑 .
中国专利 :CN113838968B ,2025-02-14
[2]
存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法 [P]. 
萧清泰 ;
匡训冲 ;
朱彦璋 .
中国专利 :CN113130530A ,2021-07-16
[3]
存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法 [P]. 
萧清泰 ;
匡训冲 ;
朱彦璋 .
中国专利 :CN113130530B ,2024-10-18
[4]
存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法 [P]. 
柯闵咏 ;
刘世昌 .
中国专利 :CN113206189B ,2025-06-20
[5]
存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法 [P]. 
柯闵咏 ;
刘世昌 .
中国专利 :CN113206189A ,2021-08-03
[6]
磁性隧道结存储器 [P]. 
孔繁生 ;
周华 .
中国专利 :CN112466358A ,2021-03-09
[7]
存储器单元和形成存储器单元的磁性隧道结(MTJ)的方法 [P]. 
顾时群 ;
升·H·康 ;
马修·M·诺瓦克 .
中国专利 :CN101911326B ,2010-12-08
[8]
磁性存储器件、磁性存储器及其形成方法 [P]. 
宋明远 ;
林世杰 ;
李乾铭 ;
葛卫伦 .
中国专利 :CN112750855A ,2021-05-04
[9]
掩埋磁隧道结存储器单元和方法 [P]. 
P·J·弗里克 ;
A·科尔 ;
A·L·范布罗克林 .
中国专利 :CN100481252C ,2004-09-08
[10]
磁性结存储器设备及其写入方法 [P]. 
金灿景 ;
金知妍 ;
郑铉泽 ;
金智恩 ;
金泰成 ;
郑尚勋 ;
朱宰郁 .
中国专利 :CN112289354A ,2021-01-29