磁性结存储器设备及其写入方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010704346.5

申请日：

2020-07-21

公开(公告)号：

CN112289354A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

金灿景金知妍郑铉泽金智恩金泰成郑尚勋朱宰郁

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

G11C1116

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

梁栋国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-29	公开	公开
2022-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/16 申请日:20200721

共 50 条

[1]

磁性隧道结存储器 [P].

孔繁生 ;

周华 .

中国专利 :CN112466358A ,2021-03-09

[2]

存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法 [P].

萧清泰 ;

匡训冲 ;

朱彦璋 .

中国专利 :CN113130530A ,2021-07-16

[3]

存储器装置、磁性隧道结存储器装置及其形成方法 [P].

萧清泰 ;

匡训冲 ;

朱彦璋 .

中国专利 :CN113130530B ,2024-10-18

[4]

存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法 [P].

柯闵咏 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN113206189B ,2025-06-20

[5]

存储器器件、磁性隧道结存储器器件及其形成方法 [P].

柯闵咏 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN113206189A ,2021-08-03

[6]

磁性存储器的写入方法 [P].

何家骅 .

中国专利 :CN101290796B ,2008-10-22

[7]

磁性存储器及其制造方法与写入方法 [P].

何家骅 ;

谢光宇 .

中国专利 :CN101452990A ,2009-06-10

[8]

可变变化存储器及其写入方法 [P].

境新太郎 ;

中山昌彦 ;

藤田胜之 ;

野吕宽洋 .

中国专利 :CN106256003A ,2016-12-21

[9]

电阻式存储器装置及其写入方法 [P].

姜圭成 ;

辛贤真 .

韩国专利 :CN120690244A ,2025-09-23

[10]

具有缓冲层的磁性隧道结存储器单元及其形成方法 [P].

徐晨佑 .

中国专利 :CN113838968A ,2021-12-24

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