发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180041118.3

申请日：

2011-04-05

公开(公告)号：

CN103081139B

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

金艺瑟郑多娟金京完尹馀镇吴尚炫

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L3346

IPC分类号：

H01L3336

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

刘灿强;刘奕晴

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701449006 IPC(主分类):H01L 33/46 专利申请号:2011800411183 变更事项:申请人变更前:首尔OPTO仪器股份有限公司变更后:首尔伟傲世有限公司变更事项:地址变更前:韩国京畿道安山市变更后:韩国京畿道安山市
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465135634 IPC(主分类):H01L 33/46 专利申请号:2011800411183 申请日:20110405
2015-11-25	授权	授权
2013-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

发光二极管 [P].

M·M·德科克－范布里曼 ;

M·比尔彻尔 ;

S·H·P·M·德文得 ;

S·I·E·武尔托 .

中国专利 :CN1833323A ,2006-09-13

[2]

发光二极管 [P].

曹文明 ;

欧震 ;

王韦涵 ;

陈建文 .

中国专利 :CN101364621B ,2009-02-11

[3]

发光二极管 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN103872233A ,2014-06-18

[4]

发光二极管 [P].

张学双 ;

马拥军 .

中国专利 :CN213026170U ,2021-04-20

[5]

发光二极管 [P].

金艺瑟 ;

郑多娟 ;

金京完 ;

尹馀镇 ;

吴尚炫 .

中国专利 :CN105355748B ,2016-02-24

[6]

发光二极管 [P].

廖齐华 ;

魏振东 ;

郑志颖 ;

李俊贤 .

中国专利 :CN115020560A ,2022-09-06

[7]

发光二极管芯片、发光二极管背板和发光二极管显示面板 [P].

李小丁 .

中国专利 :CN214956920U ,2021-11-30

[8]

发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串 [P].

郭崑生 ;

朱源发 .

中国专利 :CN101308836B ,2008-11-19

[9]

发光二极管封装、发光二极管模块及发光二极管灯 [P].

林明德 ;

林明耀 ;

殷尚彬 ;

刘芷瑄 ;

戴光佑 .

中国专利 :CN102254903B ,2011-11-23

[10]

发光二极管的转移方法及发光二极管 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN118431356A ,2024-08-02

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