一种用于磁光双共振磁力仪的原子磁传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010793088.2

申请日：

2020-08-07

公开(公告)号：

CN114062983A

公开(公告)日：

2022-02-18

发明(设计)人：

郭弘彭翔王贺王海东

申请人：

申请人地址：

100089 北京市海淀区颐和园路5号

IPC主分类号：

G01R33032

IPC分类号：

G01R3300

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

陈旭红;晏静文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 33/032 申请日:20200807
2022-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

用于光泵磁力仪的原子磁传感器 [P].

郭弘 ;

彭翔 ;

罗斌 ;

公韦 ;

吴腾 .

中国专利 :CN103869265A ,2014-06-18

[2]

用于光泵磁力仪的原子磁传感器 [P].

郭弘 ;

彭翔 ;

罗斌 ;

吴腾 ;

公韦 .

中国专利 :CN103869264A ,2014-06-18

[3]

一种用于全光光泵磁力仪的原子磁传感器 [P].

郭弘 ;

彭翔 ;

吴腾 ;

林再盛 ;

公韦 .

中国专利 :CN104698404A ,2015-06-10

[4]

用于磁力仪的原子磁传感器及消除磁力仪探测盲区的方法 [P].

郭弘 ;

彭翔 ;

王海东 ;

公韦 .

中国专利 :CN104698410A ,2015-06-10

[5]

光激发磁传感器和脑磁仪 [P].

森谷隆广 ;

笈田武范 ;

齐藤右典 ;

须山本比吕 ;

伊藤阳介 ;

上田博之 .

日本专利 :CN119535310A ,2025-02-28

[6]

光激发磁传感器和脑磁仪 [P].

齐藤右典 ;

笈田武范 ;

森谷隆广 ;

须山本比吕 ;

伊藤阳介 ;

上田博之 .

日本专利 :CN119535309A ,2025-02-28

[7]

液晶相位补偿的自激式原子磁传感器及磁场测量方法 [P].

郭弘 ;

彭翔 ;

毛心旻 ;

王海东 .

中国专利 :CN109188316A ,2019-01-11

[8]

一种光磁双共振装置 [P].

彭翔 ;

郭弘 ;

罗斌 ;

吴腾 ;

公韦 .

中国专利 :CN105659856B ,2015-01-14

[9]

光激发磁传感器 [P].

齐藤右典 ;

森谷隆广 ;

笈田武范 ;

须山本比吕 ;

小林哲生 .

中国专利 :CN113805120A ,2021-12-17

[10]

光激发磁传感器 [P].

齐藤右典 ;

森谷隆广 ;

笈田武范 ;

须山本比吕 ;

小林哲生 .

中国专利 :CN115436852A ,2022-12-06

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