氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310054997.4
申请日
2013-02-20
公开(公告)号
CN103305917A
公开(公告)日
2013-09-18
发明(设计)人
松田三智子 藤仓序章 今野泰一郎
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C30B2940
IPC分类号
C30B2518 H01L3300
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
钟晶;於毓桢
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
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共 50 条
[1]
制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板 [P]. 
林圣根 ;
朴甫益 ;
朴喆民 ;
李东龙 ;
金宇理汉 ;
金俊会 ;
裵峻莹 ;
李原兆 ;
崔准成 .
中国专利 :CN103489970A ,2014-01-01
[2]
氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P]. 
三川丰 ;
栗本浩平 ;
包全喜 .
日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16
[3]
氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P]. 
佐藤隆 ;
藤本哲尔 ;
北村寿朗 ;
柴田真佐知 .
日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19
[4]
氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P]. 
藤本哲尔 ;
佐藤隆 ;
铃木贵征 ;
北村寿朗 ;
柴田真佐知 .
日本专利 :CN120505705A ,2025-08-19
[5]
氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P]. 
佐藤隆 ;
藤本哲尔 ;
北村寿朗 ;
柴田真佐知 .
日本专利 :CN120505706A ,2025-08-19
[6]
制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板 [P]. 
林圣根 ;
朴甫益 ;
禹广济 ;
金宇理汉 ;
金俊会 ;
朴喆民 ;
裵峻莹 ;
李东龙 ;
李原兆 ;
崔准成 .
中国专利 :CN103526296A ,2014-01-22
[7]
氮化镓基板的制造方法 [P]. 
张海涛 .
中国专利 :CN109148268A ,2019-01-04
[8]
氮化镓基板的制造方法 [P]. 
藤仓序章 .
中国专利 :CN103367137A ,2013-10-23
[9]
氮化镓基板 [P]. 
尾谷卓史 ;
三浦辉纪 ;
江夏悠贵 ;
馆谦太 ;
高仓知征 ;
田代雅之 .
日本专利 :CN120826502A ,2025-10-21
[10]
氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 .
中国专利 :CN103811611A ,2014-05-21