氮化镓基板的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811110281.0

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN109148268A

公开(公告)日：

2019-01-04

发明(设计)人：

张海涛

申请人：

申请人地址：

214101 江苏省无锡市滨湖区胜利新村61-7号201

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京智客联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11700

代理人：

杨群

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180921
2019-01-04	公开	公开
2022-09-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20190104
2019-07-19	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20190701 变更事项:申请人变更前权利人:张海涛变更后权利人:无锡吴越半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:214101 江苏省无锡市滨湖区胜利新村61-7号201 变更后权利人:214000 江苏省无锡市新吴区漓江路11号

共 50 条

[1]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505707A ,2025-08-19

[2]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

藤本哲尔 ;

佐藤隆 ;

铃木贵征 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505705A ,2025-08-19

[3]

氮化镓单晶基板以及氮化镓单晶基板的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

藤本哲尔 ;

北村寿朗 ;

柴田真佐知 .

日本专利 :CN120505706A ,2025-08-19

[4]

氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

平松和政 ;

三宅秀人 ;

坊山晋也 ;

前田尚良 ;

小野善伸 .

中国专利 :CN1759469A ,2006-04-12

[5]

制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板 [P].

林圣根 ;

朴甫益 ;

朴喆民 ;

李东龙 ;

金宇理汉 ;

金俊会 ;

裵峻莹 ;

李原兆 ;

崔准成 .

中国专利 :CN103489970A ,2014-01-01

[6]

氮化镓基板的制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN103367137A ,2013-10-23

[7]

氮化镓模板基板的制造方法和氮化镓模板基板 [P].

松田三智子 ;

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103305917A ,2013-09-18

[8]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[9]

制造氮化镓基板的方法和由该方法制造的氮化镓基板 [P].

林圣根 ;

朴甫益 ;

禹广济 ;

金宇理汉 ;

金俊会 ;

朴喆民 ;

裵峻莹 ;

李东龙 ;

李原兆 ;

崔准成 .

中国专利 :CN103526296A ,2014-01-22

[10]

单晶氮化镓基板及其制造方法 [P].

朴起延 ;

金华睦 ;

徐大雄 ;

孙暎丸 .

中国专利 :CN103855264A ,2014-06-11

← 1 2 3 4 5 →