提高多晶硅纯度的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202111444978.3

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

CN114014322A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

高召帅张天雨田新王海豹

申请人：

申请人地址：

221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

IPC主分类号：

C01B33035

IPC分类号：

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵丽婷

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-05-10	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C01B 33/035 变更事项:申请人变更前:江苏鑫华半导体材料科技有限公司变更后:江苏鑫华半导体科技股份有限公司变更事项:地址变更前:221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号变更后:221004 江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号
2022-02-08	公开	公开
2022-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/035 申请日:20211130

共 50 条

[1]

高纯度多晶硅的制造方法 [P].

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN104395236A ,2015-03-04

[2]

提高多晶硅生产的方法及其装置 [P].

袁建中 .

中国专利 :CN101323449A ,2008-12-17

[3]

采用多晶硅还原系统生产多晶硅的方法及多晶硅还原系统 [P].

吕海花 ;

孙运德 ;

刘丹丹 ;

胡启红 ;

王倩 ;

陈媛 .

中国专利 :CN107352545A ,2017-11-17

[4]

多晶硅的生产方法及多晶硅生产系统 [P].

潘从伟 ;

黄金锋 ;

何隆 ;

谢照福 ;

邵威 .

中国专利 :CN121085278A ,2025-12-09

[5]

多晶硅锭的制备方法及多晶硅锭 [P].

张任远 ;

夏新中 ;

陈志军 ;

潘明翠 ;

刘磊 ;

张莉沫 ;

王丙宽 ;

孟庆超 .

中国专利 :CN108486651A ,2018-09-04

[6]

多晶硅和多晶硅的选择方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN107083566A ,2017-08-22

[7]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[8]

多晶硅还原炉及使用多晶硅还原炉生长多晶硅的方法 [P].

秦文军 ;

银波 ;

范协诚 ;

王文 ;

王瑞聪 ;

罗飞飞 ;

胡颖 ;

杜新 ;

夏高强 .

中国专利 :CN108285146B ,2018-07-17

[9]

制备多晶硅的方法 [P].

姜利霞 ;

严大洲 ;

杨永亮 ;

肖荣晖 ;

汤传斌 .

中国专利 :CN103950933B ,2014-07-30

[10]

制备多晶硅的方法 [P].

万烨 ;

张升学 ;

严大洲 ;

毋克力 ;

肖荣辉 ;

汤传斌 ;

杨永亮 .

中国专利 :CN103482630B ,2014-01-01

← 1 2 3 4 5 →