高纯度多晶硅的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380031327.9

申请日：

2013-06-13

公开(公告)号：

CN104395236A

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

船崎和则佐藤一臣宫尾秀一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B3303

IPC分类号：

C01B33035

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

杨海荣;穆德骏

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-04	公开	公开
2015-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615754571 IPC(主分类):C01B 33/03 专利申请号:2013800313279 申请日:20130613
2016-11-16	授权	授权

共 50 条

[1]

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN106966395B ,2017-07-21

[2]

高纯度多晶硅的制造装置及制造方法 [P].

并木伸明 .

中国专利 :CN101311113B ,2008-11-26

[3]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[4]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN103328380A ,2013-09-25

[5]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 ;

星野成大 .

中国专利 :CN103702938B ,2014-04-02

[6]

多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅 [P].

石川浩一 .

中国专利 :CN114502509A ,2022-05-13

[7]

制备高纯度多晶硅的方法和设备 [P].

本·菲斯尔曼 ;

戴维·米克森 ;

约克·特索 .

中国专利 :CN102438945B ,2012-05-02

[8]

多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅 [P].

石川浩一 .

日本专利 :CN114502509B ,2025-08-05

[9]

制备高纯度多晶硅的方法与装置 [P].

陈红荣 ;

胡动力 ;

鄢俊琦 .

中国专利 :CN103122482B ,2013-05-29

[10]

特高纯度的多晶硅物理提纯方法 [P].

余业芳 .

中国专利 :CN102476801A ,2012-05-30

← 1 2 3 4 5 →