高纯度多晶硅的制造装置及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810084016.X

申请日：

2008-03-18

公开(公告)号：

CN101311113B

公开(公告)日：

2008-11-26

发明(设计)人：

并木伸明

申请人：

申请人地址：

日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号

IPC主分类号：

B01J1202

IPC分类号：

C01B33033 C30B2906 C30B2814

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-14	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101235106560 IPC(主分类):B01J 12/02 专利申请号:200810084016X 变更事项:申请人变更前权利人:智索株式会社变更后权利人:JNC株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目3番23号变更后权利人:日本东京都千代田区大手町二丁目2番1号登记生效日:20111102
2017-05-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101717367577 IPC(主分类):B01J 12/02 专利号:ZL200810084016X 申请日:20080318 授权公告日:20130109 终止日期:20160318
2010-03-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-01-09	授权	授权
2008-11-26	公开	公开

共 50 条

[1]

高纯度多晶硅的制造方法 [P].

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN104395236A ,2015-03-04

[2]

多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅 [P].

石川浩一 .

中国专利 :CN114502509A ,2022-05-13

[3]

多晶硅的制造装置、制造方法及多晶硅 [P].

石川浩一 .

日本专利 :CN114502509B ,2025-08-05

[4]

多晶硅制造系统、多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

祢津茂义 ;

小黑晓二 ;

清水孝明 ;

黑泽靖志 ;

久米史高 .

中国专利 :CN102498063A ,2012-06-13

[5]

多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法 [P].

大久保秀一 ;

山口雅嗣 .

中国专利 :CN103153856A ,2013-06-12

[6]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN103328380A ,2013-09-25

[7]

多晶硅制造装置及多晶硅的制造方法 [P].

黑泽靖志 ;

祢津茂义 ;

星野成大 .

中国专利 :CN103702938B ,2014-04-02

[8]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[9]

多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭 [P].

续桥浩司 ;

胁田三郎 ;

池田洋 ;

金井昌弘 .

中国专利 :CN103003200A ,2013-03-27

[10]

多晶硅制造装置 [P].

朴成殷 ;

金知雄 ;

李熙东 .

中国专利 :CN108025918A ,2018-05-11

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