制备高纯度多晶硅的方法与装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310036359.X
申请日
2013-01-30
公开(公告)号
CN103122482B
公开(公告)日
2013-05-29
发明(设计)人
陈红荣 胡动力 鄢俊琦
申请人
申请人地址
338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室
IPC主分类号
C30B2806
IPC分类号
C30B2906 C30B3302
代理机构
广州三环专利代理有限公司 44202
代理人
郝传鑫;熊永强
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
高纯度多晶硅片的制备方法 [P]. 
王勇 .
中国专利 :CN106350865A ,2017-01-25
[2]
高纯度多晶硅的制造方法 [P]. 
船崎和则 ;
佐藤一臣 ;
宫尾秀一 .
中国专利 :CN104395236A ,2015-03-04
[3]
制备高纯度多晶硅的方法和设备 [P]. 
本·菲斯尔曼 ;
戴维·米克森 ;
约克·特索 .
中国专利 :CN102438945B ,2012-05-02
[4]
特高纯度的多晶硅物理提纯方法 [P]. 
余业芳 .
中国专利 :CN102476801A ,2012-05-30
[5]
一种制备高纯度多晶硅的方法 [P]. 
朱超 .
中国专利 :CN105063749B ,2015-11-18
[6]
高纯度多晶硅的制造装置及制造方法 [P]. 
并木伸明 .
中国专利 :CN101311113B ,2008-11-26
[7]
提高多晶硅纯度的方法 [P]. 
高召帅 ;
张天雨 ;
田新 ;
王海豹 .
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[8]
一种高纯度多晶硅铸锭坩埚 [P]. 
张冠纶 ;
曹韵国 ;
常青 ;
孙纤 .
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[9]
多晶硅的制备方法及多晶硅的制备设备 [P]. 
手计晶之 .
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[10]
多晶硅锭的制备方法 [P]. 
夏新中 ;
张莉沫 ;
张任远 ;
孟庆超 ;
陈志军 ;
张建旗 ;
刘莹 .
中国专利 :CN109023522A ,2018-12-18