双向可控硅

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN03259201.9

申请日：

2003-06-26

公开(公告)号：

CN2671130Y

公开(公告)日：

2005-01-12

发明(设计)人：

李永慎冯子源

申请人：

申请人地址：

325000浙江省温州市经济技术开发区21号小区

IPC主分类号：

H01L29747

IPC分类号：

代理机构：

温州新瓯专利事务所

代理人：

陈旭宇

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	授权	授权
2009-08-19	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)

共 50 条

[1]

双向可控硅器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN212810297U ,2021-03-26

[2]

双向可控硅继电器 [P].

马冯传 ;

刘志雄 .

中国专利 :CN2438271Y ,2001-07-04

[3]

双向可控硅结构 [P].

杜飞波 ;

王俊 ;

苏振江 .

中国专利 :CN110047921A ,2019-07-23

[4]

双向可控硅模块 [P].

高宽洙 .

韩国专利 :CN113597819B ,2024-01-30

[5]

双向可控硅模块 [P].

高宽洙 .

中国专利 :CN113597819A ,2021-11-02

[6]

可控硅串联补偿器用防盗式双向可控硅 [P].

张艳丽 ;

田思庆 ;

黎霞 ;

张绍楠 ;

孙红梅 .

中国专利 :CN203674716U ,2014-06-25

[7]

双向可控硅定时开关 [P].

林松 .

中国专利 :CN85201525U ,1986-07-16

[8]

双向可控硅交流稳流器 [P].

卢士宏 .

中国专利 :CN88201849U ,1988-11-09

[9]

双向可控硅节电开关 [P].

朱家 ;

马超轶 .

中国专利 :CN87208232U ,1988-01-06

[10]

双向可控的可控硅 [P].

K·托马斯 ;

P·斯特雷特 .

中国专利 :CN1200576A ,1998-12-02

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