双向可控硅结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810035310.5

申请日：

2018-01-15

公开(公告)号：

CN110047921A

公开(公告)日：

2019-07-23

发明(设计)人：

杜飞波王俊苏振江

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号

IPC主分类号：

H01L29747

IPC分类号：

H01L2360 H01L2906

代理机构：

北京睿派知识产权代理事务所(普通合伙) 11597

代理人：

刘锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-23	公开	公开
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/747 申请日:20180115

共 50 条

[1]

双向可控硅 [P].

李永慎 ;

冯子源 .

中国专利 :CN2671130Y ,2005-01-12

[2]

双向可控硅器件 [P].

唐兴军 ;

王亚 .

中国专利 :CN212810297U ,2021-03-26

[3]

双向可控硅模块 [P].

高宽洙 .

韩国专利 :CN113597819B ,2024-01-30

[4]

双向可控硅模块 [P].

高宽洙 .

中国专利 :CN113597819A ,2021-11-02

[5]

一种双向可控硅器件的制备方法及双向可控硅器件 [P].

顾彦国 ;

赵德益 ;

蒋骞苑 ;

吕海凤 ;

苏海伟 .

中国专利 :CN116072672B ,2025-08-26

[6]

一种双向可控硅结构 [P].

郑瑞 ;

沈国平 ;

房祥梅 .

中国专利 :CN119789536A ,2025-04-08

[7]

双向可控硅节电开关 [P].

朱家 ;

马超轶 .

中国专利 :CN87208232U ,1988-01-06

[8]

双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 [P].

蔡小五 ;

曾传滨 ;

赵海涛 ;

刘海南 ;

卜建辉 ;

陆江 ;

罗家俊 .

中国专利 :CN109935581B ,2019-06-25

[9]

双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 [P].

蔡小五 ;

赵海涛 ;

刘海南 ;

罗家俊 ;

曾传滨 ;

卜建辉 ;

陆江 .

中国专利 :CN109962099A ,2019-07-02

[10]

双向可控硅静电放电保护结构及SOI结构 [P].

蔡小五 ;

罗家俊 ;

刘海南 ;

曾传滨 ;

赵海涛 ;

卜建辉 ;

陆江 .

中国专利 :CN109962098A ,2019-07-02

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