放射性同位素产生器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810087952.6
申请日
2002-12-11
公开(公告)号
CN101290815A
公开(公告)日
2008-10-22
发明(设计)人
P·S·维斯纳 T·R·F·福雷斯特
申请人
申请人地址
英国白金汉郡
IPC主分类号
G21G408
IPC分类号
G21F5015
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
刘华联
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
放射性同位素产生器 [P]. 
P·S·维斯纳 ;
T·R·F·福雷斯特 .
中国专利 :CN1625784A ,2005-06-08
[2]
放射性同位素电源 [P]. 
布里安·蒂洛森 .
中国专利 :CN112151202A ,2020-12-29
[3]
放射性同位素分装器 [P]. 
刘景尧 .
中国专利 :CN2193583Y ,1995-03-29
[4]
放射性同位素电源 [P]. 
布里安·蒂洛森 .
美国专利 :CN112151202B ,2024-06-21
[5]
放射性同位素的制造方法、放射性同位素制造装置 [P]. 
石冈典子 ;
近藤浩夫 ;
渡边茂树 .
中国专利 :CN111164709A ,2020-05-15
[6]
放射性同位素制造装置及放射性同位素的制造方法 [P]. 
小笠原毅 ;
矢岛晓 ;
佐野正美 .
中国专利 :CN101681689B ,2010-03-24
[7]
放射性同位素发生器 [P]. 
孟昭军 ;
田鑫 ;
张威 .
中国专利 :CN220340919U ,2024-01-12
[8]
放射性同位素生产装置 [P]. 
朱贵凤 ;
邹杨 ;
严睿 ;
康旭忠 ;
陈金根 ;
邹春燕 ;
余呈刚 ;
周波 .
中国专利 :CN113539540B ,2025-04-29
[9]
放射性同位素制造装置 [P]. 
村上喜信 ;
F·圭拉 .
日本专利 :CN110176323B ,2024-06-25
[10]
放射性同位素发生器 [P]. 
徐强 ;
魏星 ;
余伟 .
中国专利 :CN218123011U ,2022-12-23