包含添加剂的基于封装半导体纳米粒子的材料

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080053048.9

申请日：

2010-09-21

公开(公告)号：

CN102648536A

公开(公告)日：

2012-08-22

发明(设计)人：

奈杰尔·皮克特伊马德·纳萨尼詹姆斯·哈里斯

申请人：

申请人地址：

英国曼彻斯特

IPC主分类号：

H01L3350

IPC分类号：

C09K1102 C09K1156 C09K1170 C09K1188

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王旭

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-22	公开	公开
2015-10-21	授权	授权
2012-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101333710154 IPC(主分类):H01L 33/50 专利申请号:2010800530489 申请日:20100921

共 50 条

[1]

封装的基于半导体纳米粒子的材料 [P].

奈杰尔·皮克特 ;

伊马德·纳萨尼 ;

詹姆斯·哈里斯 .

中国专利 :CN102668143A ,2012-09-12

[2]

基于半导体纳米粒子的发光材料 [P].

詹姆斯·哈里斯 ;

奈杰尔·皮克特 ;

伊马德·纳萨尼 .

中国专利 :CN103946147B ,2014-07-23

[3]

基于半导体纳米粒子的发光材料 [P].

詹姆斯·哈里斯 ;

奈杰尔·皮克特 ;

伊马德·纳萨尼 .

中国专利 :CN108511571A ,2018-09-07

[4]

添加剂稳定的复合纳米粒子 [P].

M·C·帕拉佐托 ;

S·查克拉博蒂 ;

W·S·马奥尼 ;

G·D·乔利 ;

K·L·埃克特 .

中国专利 :CN108026443A ,2018-05-11

[5]

添加剂稳定的复合纳米粒子 [P].

M·C·帕拉佐托 ;

S·查克拉博蒂 ;

W·S·马奥尼 ;

G·D·乔利 ;

K·L·埃克特 .

中国专利 :CN108026444B ,2018-05-11

[6]

半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P].

高桥美枝 ;

福田一人 .

日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23

[7]

半导体纳米粒子包覆剂 [P].

奈杰尔·皮克特 ;

马克·克里斯托夫·麦克莱恩 ;

史蒂文·丹尼尔斯 ;

西沃恩·可米斯 .

中国专利 :CN101959933A ,2011-01-26

[8]

半导体纳米粒子包覆剂 [P].

奈杰尔·皮克特 ;

马克·克里斯托夫·麦克莱恩 ;

史蒂文·丹尼尔斯 ;

西沃恩·可米斯 .

中国专利 :CN103554477B ,2014-02-05

[9]

半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 [P].

森山乔史 ;

本吉亮介 .

中国专利 :CN111556850A ,2020-08-18

[10]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P].

鸟本司 ;

龟山达矢 ;

久保淳弥 ;

藤平纪一 .

日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24

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