半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880084295.1

申请日：

2018-12-19

公开(公告)号：

CN111556850A

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

森山乔史本吉亮介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C01B2514

IPC分类号：

B82Y3000 C01B2508 C09K1108 C09K1170 C09K1172

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-18	公开	公开
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 25/14 申请日:20181219

共 50 条

[1]

半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P].

高桥美枝 ;

福田一人 .

日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23

[2]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液和光学部件 [P].

森山乔史 ;

本吉亮介 .

中国专利 :CN111566045A ,2020-08-21

[3]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件 [P].

森山乔史 ;

佐佐木洋和 ;

松浦圭佑 .

中国专利 :CN113454020A ,2021-09-28

[4]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件 [P].

森山乔史 ;

佐佐木洋和 ;

松浦圭佑 .

日本专利 :CN118440687A ,2024-08-06

[5]

核/壳型半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子复合体 [P].

三津家由子 ;

佐佐木洋和 ;

森山乔史 ;

城户信人 ;

吉村健司 ;

中村真子 .

日本专利 :CN117794851A ,2024-03-29

[6]

半导体发光纳米粒子 [P].

I·达维迪 ;

A·伊尔兹 ;

N·格兰巴赫 ;

M·科奥利克 ;

S·内什塔特 ;

A·拉布金 ;

H·阿贝尔 .

中国专利 :CN110072969A ,2019-07-30

[7]

半导体纳米粒子、半导体纳米粒子的制造方法以及发光体 [P].

鸟本司 ;

龟山达矢 ;

久保淳弥 ;

藤平纪一 .

日本专利 :CN118696008A ,2024-09-24

[8]

半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P].

城户信人 ;

森山乔史 ;

佐佐木洋和 .

中国专利 :CN114127225A ,2022-03-01

[9]

半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P].

城户信人 ;

佐佐木洋和 .

日本专利 :CN114127229B ,2024-04-05

[10]

半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P].

城户信人 ;

佐佐木洋和 ;

森山乔史 ;

三津家由子 .

中国专利 :CN113906116A ,2022-01-07

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