半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202410386013.0
申请日
2020-02-27
公开(公告)号
CN118440687A
公开(公告)日
2024-08-06
发明(设计)人
森山乔史 佐佐木洋和 松浦圭佑
申请人
昭荣化学工业株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
C09K11/02
IPC分类号
G02B5/20 C09K11/70 C09K11/88 C09K11/72
代理机构
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人
王珂
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液及光学构件 [P]. 
森山乔史 ;
佐佐木洋和 ;
松浦圭佑 .
中国专利 :CN113454020A ,2021-09-28
[2]
半导体纳米粒子、半导体纳米粒子分散液和光学部件 [P]. 
森山乔史 ;
本吉亮介 .
中国专利 :CN111566045A ,2020-08-21
[3]
半导体纳米粒子、分散液及薄膜 [P]. 
佐佐木勉 .
中国专利 :CN108848671B ,2018-11-20
[4]
半导体纳米粒子和芯/壳型半导体纳米粒子 [P]. 
森山乔史 ;
本吉亮介 .
中国专利 :CN111556850A ,2020-08-18
[5]
半导体纳米粒子的制造方法和半导体纳米粒子 [P]. 
高桥美枝 ;
福田一人 .
日本专利 :CN118382595A ,2024-07-23
[6]
半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
森山乔史 ;
佐佐木洋和 .
中国专利 :CN114127225A ,2022-03-01
[7]
半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
佐佐木洋和 .
日本专利 :CN114127229B ,2024-04-05
[8]
半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
佐佐木洋和 ;
森山乔史 ;
三津家由子 .
中国专利 :CN113906116A ,2022-01-07
[9]
半导体纳米粒子复合体、半导体纳米粒子复合体分散液、半导体纳米粒子复合体组合物和半导体纳米粒子复合体固化膜 [P]. 
城户信人 ;
佐佐木洋和 .
中国专利 :CN114127229A ,2022-03-01
[10]
半导体发光纳米粒子 [P]. 
I·达维迪 ;
A·伊尔兹 ;
N·格兰巴赫 ;
M·科奥利克 ;
S·内什塔特 ;
A·拉布金 ;
H·阿贝尔 .
中国专利 :CN110072969A ,2019-07-30