半导体器件的制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110152390.0
申请日
2011-06-08
公开(公告)号
CN102820385B
公开(公告)日
2012-12-12
发明(设计)人
谢红梅 刘煊杰
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L21265 B81C100
代理机构
北京市磐华律师事务所 11336
代理人
董巍;顾珊
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211122B ,2024-05-21
[2]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121B ,2024-09-06
[3]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211121A ,2020-05-29
[4]
半导体器件的制作方法与半导体器件 [P]. 
蔡宗叡 .
中国专利 :CN111211122A ,2020-05-29
[5]
半导体器件的制作方法 [P]. 
刘煊杰 ;
吴秉寰 ;
谢红梅 .
中国专利 :CN102815663A ,2012-12-12
[6]
半导体器件的制作方法及其制作的半导体器件 [P]. 
托马斯·P·瑞美尔 ;
斯瑞拉姆·卡尔帕特 ;
梅尔维·F·米勒尔 ;
彼德·朱彻尔 .
中国专利 :CN1930685A ,2007-03-14
[7]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
约瑟夫·俄依恩扎 .
中国专利 :CN102867857A ,2013-01-09
[8]
半导体器件及制作方法 [P]. 
J·A·叶迪纳克 .
中国专利 :CN114628521A ,2022-06-14
[9]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
吕瑞霖 ;
辜良智 ;
李由 .
中国专利 :CN104835854A ,2015-08-12
[10]
半导体器件及其制作方法 [P]. 
程慷果 ;
R·迪瓦卡鲁尼 ;
C·J·拉登斯 .
中国专利 :CN101086993A ,2007-12-12