低温二氧化硅薄膜的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210229099.3

申请日：

2012-07-03

公开(公告)号：

CN102820220A

公开(公告)日：

2012-12-12

发明(设计)人：

张文广陈玉文

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01L213105

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

陆花

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101389920683 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2012102290993 申请日:20120703
2016-12-21	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101743871854 IPC(主分类):H01L 21/3105 专利申请号:2012102290993 申请公布日:20121212
2012-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102832119A ,2012-12-19

[2]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102820219A ,2012-12-12

[3]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102820221A ,2012-12-12

[4]

二氧化硅薄膜及含二氧化硅薄膜元件的制造方法 [P].

李钱陶 ;

李定 ;

王潺 ;

金天义 ;

熊长新 .

中国专利 :CN111101096A ,2020-05-05

[5]

沉积二氧化硅薄膜的方法 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

安德鲁·普赖斯 ;

马克·卡拉瑟斯 ;

丹尼尔·阿查德 ;

斯蒂芬·伯吉斯 .

中国专利 :CN103540908A ,2014-01-29

[6]

二氧化硅薄膜的制备方法 [P].

周国平 ;

夏长奉 .

中国专利 :CN105621347A ,2016-06-01

[7]

二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法 [P].

卢经文 ;

冯伟 ;

朱柄宇 .

中国专利 :CN113808939A ,2021-12-17

[8]

二氧化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108493105A ,2018-09-04

[9]

熔融二氧化硅薄膜 [P].

本·安诺 .

中国专利 :CN1488085A ,2004-04-07

[10]

二氧化硅薄膜的制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

范成林 ;

刘通 .

中国专利 :CN108447770B ,2018-08-24

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