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二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010545225.0
申请日：
2020-06-15
公开(公告)号：
CN113808939A
公开(公告)日：
2021-12-17
发明(设计)人：
卢经文 冯伟 朱柄宇
申请人：
申请人地址：
230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L21316
IPC分类号：
H01L2128 H01L29423 H01L2978
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
孙佳胤;高德志
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-01-04 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/316 申请日:20200615
2021-12-17 公开 公开
共 50 条
[1]
低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P]. 
张文广 ;
陈玉文 .
中国专利 :CN102820220A ,2012-12-12
[2]
低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P]. 
张文广 ;
陈玉文 .
中国专利 :CN102820219A ,2012-12-12
[3]
低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P]. 
张文广 ;
陈玉文 .
中国专利 :CN102820221A ,2012-12-12
[4]
低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P]. 
张文广 ;
陈玉文 .
中国专利 :CN102832119A ,2012-12-19
[5]
二氧化硅质膜的形成方法以及通过该方法形成的二氧化硅质膜 [P]. 
林昌伸 ;
长原达郎 .
中国专利 :CN104885204A ,2015-09-02
[6]
半导体衬底上二氧化硅介质层的形成方法 [P]. 
钟飞 ;
王科 ;
韩晓刚 ;
陈建维 ;
倪立华 .
中国专利 :CN105185693A ,2015-12-23
[7]
金属栅极的形成方法 [P]. 
洪中山 .
中国专利 :CN103545180A ,2014-01-29
[8]
金属栅极的形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN104616990B ,2015-05-13
[9]
金属栅极的形成方法 [P]. 
何其旸 .
中国专利 :CN103107075A ,2013-05-15
[10]
金属栅极的形成方法 [P]. 
韩秋华 .
中国专利 :CN104616980B ,2017-11-28
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