半导体衬底上二氧化硅介质层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510514529.X

申请日：

2015-08-20

公开(公告)号：

CN105185693A

公开(公告)日：

2015-12-23

发明(设计)人：

钟飞王科韩晓刚陈建维倪立华

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;陈慧弘

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20151223
2015-12-23	公开	公开
2016-01-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101643333819 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201510514529X 申请日:20150820

共 50 条

[1]

二氧化硅厚层的沉积 [P].

M·埃德蒙兹 ;

W·罗伊尔 ;

C·L·琼斯 ;

D·戈麦斯·桑切斯 ;

K·克鲁克 .

英国专利 :CN117737691A ,2024-03-22

[2]

沉积二氧化硅薄膜的方法 [P].

凯瑟琳·克鲁克 ;

安德鲁·普赖斯 ;

马克·卡拉瑟斯 ;

丹尼尔·阿查德 ;

斯蒂芬·伯吉斯 .

中国专利 :CN103540908A ,2014-01-29

[3]

二氧化硅介质层的制备方法 [P].

李佳 ;

芦伟立 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

王波 ;

郭艳敏 ;

张志荣 ;

冯志红 .

中国专利 :CN107633999A ,2018-01-26

[4]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102820220A ,2012-12-12

[5]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102832119A ,2012-12-19

[6]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102820219A ,2012-12-12

[7]

低温二氧化硅薄膜的形成方法 [P].

张文广 ;

陈玉文 .

中国专利 :CN102820221A ,2012-12-12

[8]

二氧化硅薄膜及其制备方法 [P].

阮勇 ;

尤政 ;

魏启鹏 ;

刘通 .

中国专利 :CN108493105A ,2018-09-04

[9]

用于形成二氧化硅层的组成物、用于制造二氧化硅层的方法、二氧化硅层以及电子装置 [P].

李殷善 ;

金佑翰 ;

尹熙灿 ;

裴鎭希 ;

黄丙奎 .

中国专利 :CN106147604A ,2016-11-23

[10]

制造二氧化硅层的方法 [P].

K·布德尔 ;

N·达瓦尔 ;

I·凯尔富尔克 ;

S·R·A·范阿尔德 ;

M·J·德布兰克 ;

C·A·范德尤德 .

中国专利 :CN100474529C ,2007-08-22

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