半导体装置及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810125529.0

申请日：

2008-06-10

公开(公告)号：

CN101320734A

公开(公告)日：

2008-12-10

发明(设计)人：

岩本邦彦小川有人上牟田雄一

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L2951 H01L218238 H01L2128

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

李贵亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-08-03	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101672715395 IPC(主分类):H01L 27/092 专利号:ZL2008101255290 申请日:20080610 授权公告日:20110518 终止日期:20150610
2011-03-09	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101072683808 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2008101255290 变更事项:申请人变更前权利人:罗姆股份有限公司变更后权利人:罗姆股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:日本京都府变更后权利人:日本京都府变更事项:共同申请人变更前权利人:株式会社日立国际电气;株式会社东芝变更后权利人:株式会社日立国际电气登记生效日:20110120
2011-05-18	授权	授权
2008-12-10	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及半导体装置的制作方法 [P].

山崎舜平 ;

高山彻 ;

丸山纯矢 ;

大野由美子 .

中国专利 :CN1708853A ,2005-12-14

[2]

半导体器件及其制作方法 [P].

杜小琴 ;

蔡建成 ;

庄二鹏 ;

林昭维 ;

颜逸飞 ;

陈辉煌 .

中国专利 :CN117936458A ,2024-04-26

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

涂言铭 ;

叶长福 .

中国专利 :CN120379331A ,2025-07-25

[4]

半导体装置及其制作方法 [P].

柯志欣 ;

葛崇祜 ;

陈宏玮 ;

李文钦 .

中国专利 :CN100477269C ,2007-11-28

[5]

半导体装置及其制作方法 [P].

杨谨嘉 ;

陈文斌 ;

陈祖伟 .

中国专利 :CN115050762A ,2022-09-13

[6]

半导体装置及其制作方法 [P].

杨谨嘉 ;

陈文斌 ;

陈祖伟 .

中国专利 :CN115050762B ,2025-06-03

[7]

半导体装置及其制作方法 [P].

蔡永智 ;

赵治平 ;

张智胜 ;

俞正明 .

中国专利 :CN100530694C ,2008-02-06

[8]

半导体装置及其制作方法 [P].

张佳琳 .

中国专利 :CN113380804B ,2024-10-22

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

张佳琳 .

中国专利 :CN113380804A ,2021-09-10

[10]

半导体装置以及其制作方法 [P].

张豪轩 ;

钟耀贤 ;

蔡馥郁 .

中国专利 :CN115602720A ,2023-01-13

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