半导体装置及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210864310.2

申请日：

2022-07-21

公开(公告)号：

CN115050762B

公开(公告)日：

2025-06-03

发明(设计)人：

杨谨嘉陈文斌陈祖伟

申请人：

友达光电股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H10D86/60

IPC分类号：

H10D30/67 H10D86/01

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制作方法 [P].

杨谨嘉 ;

陈文斌 ;

陈祖伟 .

中国专利 :CN115050762A ,2022-09-13

[2]

半导体装置及其制作方法 [P].

柯志欣 ;

葛崇祜 ;

陈宏玮 ;

李文钦 .

中国专利 :CN100477269C ,2007-11-28

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁世汎 ;

黄正同 ;

洪文瀚 ;

郑礼贤 ;

李坤宪 ;

郑子铭 ;

吴劲昌 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN101060121A ,2007-10-24

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

刘盈成 ;

施易安 ;

李怡慧 ;

翁宸毅 ;

谢晋阳 ;

曾奕铭 ;

张境尹 ;

王裕平 .

中国专利 :CN111564468A ,2020-08-21

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

许家福 .

中国专利 :CN106033731B ,2016-10-19

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

永井享浩 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

苏治维 ;

温哲民 .

中国专利 :CN110729343A ,2020-01-24

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

林家辉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110021559A ,2019-07-16

[9]

半导体装置及其制作方法 [P].

岩本邦彦 ;

小川有人 ;

上牟田雄一 .

中国专利 :CN101320734A ,2008-12-10

[10]

半导体装置及其制作方法 [P].

蔡永智 ;

赵治平 ;

张智胜 ;

俞正明 .

中国专利 :CN100530694C ,2008-02-06

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