半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910114096.7

申请日：

2019-02-14

公开(公告)号：

CN111564468A

公开(公告)日：

2020-08-21

发明(设计)人：

王慧琳刘盈成施易安李怡慧翁宸毅谢晋阳曾奕铭张境尹王裕平

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2722

IPC分类号：

H01L4308 H01L4312

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-21	公开	公开
2020-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20190214

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

永井享浩 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

苏治维 ;

温哲民 .

中国专利 :CN110729343A ,2020-01-24

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

许家福 .

中国专利 :CN106033731B ,2016-10-19

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

林家辉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110021559A ,2019-07-16

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁世汎 ;

黄正同 ;

洪文瀚 ;

郑礼贤 ;

李坤宪 ;

郑子铭 ;

吴劲昌 ;

沈泽民 .

中国专利 :CN101060121A ,2007-10-24

[6]

半导体元件结构及其制作方法 [P].

蒋天福 ;

程立伟 ;

许哲华 ;

尤志豪 ;

周正贤 ;

赖建铭 ;

陈奕文 ;

林建廷 ;

马光华 .

中国专利 :CN101515581A ,2009-08-26

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

吴俊元 ;

刘志建 .

中国专利 :CN102903751A ,2013-01-30

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈能国 ;

蔡腾群 .

中国专利 :CN1873955A ,2006-12-06

[9]

半导体元件及其制造方法 [P].

廖秀莲 ;

陈能国 ;

陈哲明 ;

蔡腾群 ;

黄建中 .

中国专利 :CN100570853C ,2008-10-08

[10]

半导体元件及其制造方法 [P].

蔡英杰 ;

陈永初 ;

龚正 .

中国专利 :CN104733457B ,2015-06-24

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