半导体元件结构及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810081467.8
申请日
2008-02-22
公开(公告)号
CN101515581A
公开(公告)日
2009-08-26
发明(设计)人
蒋天福 程立伟 许哲华 尤志豪 周正贤 赖建铭 陈奕文 林建廷 马光华
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
H01L2702
IPC分类号
H01L23522 H01L2182 H01L21768
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
彭久云
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
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翁宸毅 ;
谢晋阳 ;
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张境尹 ;
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[2]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
永井享浩 ;
戎乐天 .
中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09
[3]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
马瑞吉 ;
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[4]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
许家福 .
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[5]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
马瑞吉 ;
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[6]
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[7]
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[8]
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[9]
半导体结构的制作方法 [P]. 
菊蕊 ;
邵红旭 ;
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[10]
半导体装置及其制作方法 [P]. 
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