半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610075283.1

申请日：

2006-04-18

公开(公告)号：

CN101060121A

公开(公告)日：

2007-10-24

发明(设计)人：

丁世汎黄正同洪文瀚郑礼贤李坤宪郑子铭吴劲昌沈泽民

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2704

IPC分类号：

H01L27092 H01L2978 H01L21822 H01L218238 H01L21336

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-24	公开	公开
2009-03-04	授权	授权
2007-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

刘盈成 ;

施易安 ;

李怡慧 ;

翁宸毅 ;

谢晋阳 ;

曾奕铭 ;

张境尹 ;

王裕平 .

中国专利 :CN111564468A ,2020-08-21

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

许家福 .

中国专利 :CN106033731B ,2016-10-19

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

永井享浩 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

苏治维 ;

温哲民 .

中国专利 :CN110729343A ,2020-01-24

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

林家辉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110021559A ,2019-07-16

[6]

形成半导体结构的方法及其半导体结构 [P].

郑政玮 ;

D·K·萨达纳 ;

徐崑庭 .

中国专利 :CN105845678B ,2016-08-10

[7]

沟渠式半导体组件及其制作方法 [P].

林伟捷 ;

林礼政 .

中国专利 :CN102263105B ,2011-11-30

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

涂言铭 ;

叶长福 .

中国专利 :CN120379331A ,2025-07-25

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭致玮 .

中国专利 :CN114256412A ,2022-03-29

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

郭致玮 .

中国专利 :CN114256412B ,2025-12-02

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