半导体元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310723955.5

申请日：

2013-12-18

公开(公告)号：

CN104733457B

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

蔡英杰陈永初龚正

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2182

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

任岩

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	公开	公开
2017-12-01	授权	授权
2015-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101620399226 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:2013107239555 申请日:20131218

共 50 条

[1]

半导体元件及其制造方法 [P].

陈能国 ;

蔡腾群 .

中国专利 :CN1873955A ,2006-12-06

[2]

半导体元件及其制造方法 [P].

廖秀莲 ;

陈能国 ;

陈哲明 ;

蔡腾群 ;

黄建中 .

中国专利 :CN100570853C ,2008-10-08

[3]

半导体元件及其制造方法 [P].

王志豪 ;

陈尚志 .

中国专利 :CN1815756A ,2006-08-09

[4]

半导体元件及其制造方法 [P].

洪铭钦 ;

林威廷 ;

涂峻豪 ;

陈嘉祥 .

中国专利 :CN102097324A ,2011-06-15

[5]

半导体元件及其制造方法 [P].

刘埃森 ;

蔡滨祥 ;

林进富 .

中国专利 :CN110867441A ,2020-03-06

[6]

高压半导体元件及其操作方法 [P].

陈信良 ;

童文菁 .

中国专利 :CN103258822B ,2013-08-21

[7]

半导体元件模块及其制造方法 [P].

上野大司 ;

和田太郎 ;

舩山正宏 ;

黑田能克 ;

近藤雄一 ;

小林真一 ;

中野浩儿 ;

藤原谦二 ;

竹下照雄 .

中国专利 :CN101946318B ,2011-01-12

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

刘盈成 ;

施易安 ;

李怡慧 ;

翁宸毅 ;

谢晋阳 ;

曾奕铭 ;

张境尹 ;

王裕平 .

中国专利 :CN111564468A ,2020-08-21

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

许家福 .

中国专利 :CN106033731B ,2016-10-19

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

永井享浩 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09

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