半导体元件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110213145.6

申请日：

2011-07-28

公开(公告)号：

CN102903751A

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

吴俊元刘志建

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21762

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583519010 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011102131456 申请日:20110728
2017-06-06	授权	授权
2013-01-30	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其制作方法 [P].

王慧琳 ;

刘盈成 ;

施易安 ;

李怡慧 ;

翁宸毅 ;

谢晋阳 ;

曾奕铭 ;

张境尹 ;

王裕平 .

中国专利 :CN111564468A ,2020-08-21

[2]

半导体元件及其制作方法 [P].

永井享浩 ;

戎乐天 .

中国专利 :CN108630612A ,2018-10-09

[3]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

苏治维 ;

温哲民 .

中国专利 :CN110729343A ,2020-01-24

[4]

半导体元件及其制作方法 [P].

许家福 .

中国专利 :CN106033731B ,2016-10-19

[5]

半导体元件及其制作方法 [P].

马瑞吉 ;

林家辉 ;

杨国裕 .

中国专利 :CN110021559A ,2019-07-16

[6]

半导体元件及其制作方法 [P].

姜元升 ;

陈炫旭 .

中国专利 :CN100468752C ,2007-05-30

[7]

半导体元件及其制作方法 [P].

郑振辉 ;

冯家馨 ;

蔡明桓 ;

聂俊峰 ;

黄益民 ;

蔡瀚霆 ;

王海艇 .

中国专利 :CN102263087A ,2011-11-30

[8]

半导体元件及其制作方法 [P].

李健逢 ;

张嘉骅 ;

颜湘婕 .

中国专利 :CN114335173A ,2022-04-12

[9]

半导体元件及其制作方法 [P].

李国兴 ;

薛胜元 ;

邱永振 ;

康智凯 ;

林文凯 .

中国专利 :CN119521662A ,2025-02-25

[10]

半导体元件及其制作方法 [P].

吴铁将 .

中国专利 :CN102208437A ,2011-10-05

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