半导体元件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200510126854.5
申请日
2005-11-24
公开(公告)号
CN100468752C
公开(公告)日
2007-05-30
发明(设计)人
姜元升 陈炫旭
申请人
申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区
IPC主分类号
H01L27144
IPC分类号
H01L23522 H01L2182 H01L21768
代理机构
北京市柳沈律师事务所
代理人
陶凤波;侯 宇
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
郑振辉 ;
冯家馨 ;
蔡明桓 ;
聂俊峰 ;
黄益民 ;
蔡瀚霆 ;
王海艇 .
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[2]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
李健逢 ;
张嘉骅 ;
颜湘婕 .
中国专利 :CN114335173A ,2022-04-12
[3]
半导体元件及其制作方法 [P]. 
李国兴 ;
薛胜元 ;
邱永振 ;
康智凯 ;
林文凯 .
中国专利 :CN119521662A ,2025-02-25
[4]
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吴俊元 ;
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中国专利 :CN102903751A ,2013-01-30
[5]
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王慧琳 ;
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施易安 ;
李怡慧 ;
翁宸毅 ;
谢晋阳 ;
曾奕铭 ;
张境尹 ;
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[6]
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吴铁将 .
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[7]
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陈信贤 ;
薛胜元 ;
曾坤赐 ;
李国兴 ;
康智凯 .
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[8]
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周寻 ;
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[9]
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赵秋吉 ;
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孟伟 ;
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[10]
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朱鸣 ;
张立伟 ;
周汉源 ;
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