通孔的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010192346.8

申请日：

2010-06-04

公开(公告)号：

CN102270600A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

黄敬勇王新鹏韩秋华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-12-07	公开	公开
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174912239 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010101923468 申请日:20100604
2013-07-10	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101629423263 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2010101923468 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市张江路18号变更后权利人:100176 北京经济技术开发区文昌大道18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司登记生效日:20130620
2013-09-25	授权	授权

共 50 条

[1]

通孔形成方法 [P].

吴佳蒙 ;

史波 ;

肖婷 ;

敖利波 .

中国专利 :CN112701080A ,2021-04-23

[2]

通孔形成方法 [P].

孙武 ;

张海洋 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN102222640B ,2011-10-19

[3]

硅通孔的形成方法 [P].

许金海 ;

唐强 ;

林保璋 .

中国专利 :CN108630595A ,2018-10-09

[4]

硅通孔的形成方法 [P].

梁洁 ;

丁冬平 ;

罗伟义 .

中国专利 :CN103700622B ,2014-04-02

[5]

硅通孔的形成方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 ;

严利均 .

中国专利 :CN103646918A ,2014-03-19

[6]

硅通孔的形成方法 [P].

何作鹏 ;

赵洪波 ;

沈哲敏 .

中国专利 :CN104465494A ,2015-03-25

[7]

硅通孔的形成方法 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN104576508B ,2015-04-29

[8]

接触孔的形成方法 [P].

张海洋 ;

孙武 ;

周俊卿 .

中国专利 :CN102087992A ,2011-06-08

[9]

硅通孔形成方法 [P].

金滕滕 ;

倪梁 ;

汪新学 ;

丁敬秀 .

中国专利 :CN104979274A ,2015-10-14

[10]

通孔或接触孔的形成方法 [P].

李程 ;

吴敏 ;

杨渝书 .

中国专利 :CN103646922B ,2014-03-19

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