硅通孔的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710157817.3

申请日：

2017-03-16

公开(公告)号：

CN108630595A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

许金海唐强林保璋

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/768 申请公布日:20181009
2018-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20170316
2018-10-09	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔的形成方法 [P].

梁洁 ;

丁冬平 ;

罗伟义 .

中国专利 :CN103700622B ,2014-04-02

[2]

硅通孔的形成方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 ;

严利均 .

中国专利 :CN103646918A ,2014-03-19

[3]

硅通孔的形成方法 [P].

何作鹏 ;

赵洪波 ;

沈哲敏 .

中国专利 :CN104465494A ,2015-03-25

[4]

硅通孔的形成方法 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN104576508B ,2015-04-29

[5]

硅通孔形成方法 [P].

金滕滕 ;

倪梁 ;

汪新学 ;

丁敬秀 .

中国专利 :CN104979274A ,2015-10-14

[6]

硅通孔及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104078414A ,2014-10-01

[7]

硅通孔及其形成方法 [P].

郭亮良 ;

黄河 ;

骆凯玲 .

中国专利 :CN104425449A ,2015-03-18

[8]

硅通孔结构及其形成方法 [P].

冯凯 ;

刘玮荪 ;

许忠义 ;

黄自强 .

中国专利 :CN105870054A ,2016-08-17

[9]

硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法 [P].

张武志 ;

陈晓军 ;

刘煊杰 ;

张海芳 .

中国专利 :CN104078416B ,2014-10-01

[10]

通孔的形成方法 [P].

黄敬勇 ;

王新鹏 ;

韩秋华 .

中国专利 :CN102270600A ,2011-12-07

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