硅通孔及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310105369.4

申请日：

2013-03-28

公开(公告)号：

CN104078414A

公开(公告)日：

2014-10-01

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23522

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-08	授权	授权
2014-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587981859 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2013101053694 申请日:20130328
2014-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

硅通孔及其形成方法 [P].

郭亮良 ;

黄河 ;

骆凯玲 .

中国专利 :CN104425449A ,2015-03-18

[2]

硅通孔形成方法 [P].

金滕滕 ;

倪梁 ;

汪新学 ;

丁敬秀 .

中国专利 :CN104979274A ,2015-10-14

[3]

硅通孔结构及其形成方法 [P].

冯凯 ;

刘玮荪 ;

许忠义 ;

黄自强 .

中国专利 :CN105870054A ,2016-08-17

[4]

硅通孔的形成方法 [P].

梁洁 ;

丁冬平 ;

罗伟义 .

中国专利 :CN103700622B ,2014-04-02

[5]

硅通孔的形成方法 [P].

黄秋平 ;

许颂临 ;

严利均 .

中国专利 :CN103646918A ,2014-03-19

[6]

硅通孔的形成方法 [P].

许金海 ;

唐强 ;

林保璋 .

中国专利 :CN108630595A ,2018-10-09

[7]

硅通孔的形成方法 [P].

何作鹏 ;

赵洪波 ;

沈哲敏 .

中国专利 :CN104465494A ,2015-03-25

[8]

硅通孔的形成方法 [P].

沈哲敏 ;

李广宁 .

中国专利 :CN104576508B ,2015-04-29

[9]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102683308A ,2012-09-19

[10]

穿硅通孔结构及其形成方法 [P].

赵超 ;

陈大鹏 ;

欧文 .

中国专利 :CN102637656A ,2012-08-15

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